FQD2N60CTM_ON_安森美_TO-252-2(DPAK)_MOSFETs

FQD2N60CTM 型号参数

FQD2N60CTM是品牌ON安森美，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如电子空气净化器、复印机、电动自行车、专用集成电路（ASIC）、实验室离心机，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

型号	参数
FDV301N	MOS管 N-Channel VDS=25V VGS=±8V ID=220mA RDS(ON)=4Ω@4.5V SOT23
NTD6414ANT4G	MOSFET–功率，N通道100 V，32 A，37 mΩ
BSS123	SOT23-3 360mW
FDN327N	MOS管 N-Channel VDS=20V VGS=±8V ID=8A RDS(ON)=70mΩ@4.5V SOT23-3
FDS6675BZ	表面贴装型 P 通道 30 V 11A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SOIC
NTA4001NT1G	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：238mA 功率(Pd)：300mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：3Ω@4.5V,10mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@100uA
FQPF8N80C	通孔 N 通道 800 V 8A（Tc） 59W（Tc） TO-220F-3
FDN357N	MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=1.9A RDS(ON)=60mΩ@10V SOT23-3
NDS351AN	MOSFETs N沟道耐压:30V 电流:1.4A SOT23-3
FQD2N100TM	表面贴装型 N 通道 1000 V 1.6A（Tc） 2.5W（Ta），50W（Tc） TO-252AA

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