FDC5614P_ON_安森美_SOT23-6_MOSFETs

Name: FDC5614P_ON_安森美_SOT23-6_MOSFETs
Brand: ON

FDC5614P 型号参数

FDC5614P是品牌ON安森美，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如微处理器、电子广告牌、电子除螨仪、不间断电源（UPS）、网卡，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如 LCD显示屏、空调、显卡、智能插座、可编程逻辑控制器（PLC）、安防监控系统、功放设备、电子血压计等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
FQPF8N80C	通孔 N 通道 800 V 8A（Tc） 59W（Tc） TO-220F-3
FDPF18N50	通孔 N 通道 500 V 18A（Tc） 38.5W（Tc） TO-220F-3
NDS355AN	表面贴装型 N 通道 30 V 1.7A（Ta） 500mW（Ta） SOT-23-3
FDS8984	MOSFET 2N-Channel VDS=30V ID=7A RDS(on)=23mΩ SOIC8_150MIL
FDN357N	MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=1.9A RDS(ON)=60mΩ@10V SOT23-3
FDMS86252	MOSFETs PQFN8_5X6MM VDS=150V ID=4.6A
FQA90N15	通孔 N 通道 150 V 90A（Tc） 375W（Tc） TO-3PN
MMBF170LT1G	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=500mA RDS(ON)=5Ω@10V SOT23
NTGS4141NT1G	MOSFETs N-Channel VDS=30V ID=7A TSOP6
NTK3134NT1G	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：890mA 功率(Pd)：310mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：350mΩ@4.5V,890mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.2V@250uA

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