FDN537N-VB_VBsemi_微碧_SOT-23_MOSFETs

FDN537N-VB 型号参数

FDN537N-VB是品牌VBsemi微碧，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如电子游戏机手柄、网卡、录像机、电动自行车、摄像机，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

型号	参数
TPC8204-VB	场效应管 (MOSFET) 场效应管(MOSFET) N—Channel沟道,20V,8A,RDS(ON),15mΩ@10V,22mΩ@4.5V,30mΩ@2.5V,12Vgs(±V)；0.9Vth(V) 封装：SOP8
AO4816	MOS管 Dual N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=7.2A RDS(ON)=20mΩ@4.5V SOIC8_150MIL
VBL2658	MOS管 P-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=35A RDS(ON)=48mΩ@10V TO263
VB2658	MOS管 P-Channel VDS=60V VGS=±8V ID=5.2A RDS(ON)=50mΩ@10V SOT23
SSF2341E	MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=4.5A RDS(ON)=43mΩ@4.5V SOT23
AO3415A	MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=4.5A RDS(ON)=43mΩ@4.5V SOT23
VB1102M	Vds=100V Id=1.6A SOT23
SFT1350.-VB	MOS管 P-Channel VDS=40V VGS=±20V ID=50A RDS(ON)=15mΩ@4.5V TO252
AO4404	MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=9A RDS(ON)=11mΩ@4.5V SOP-8
SI2305ADS-T1-GE3	MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=4.5A RDS(ON)=43mΩ@4.5V SOT23

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