GBJ3510_MDD_辰达半导体_GBJ_整流桥

Name: GBJ3510_MDD_辰达半导体_GBJ_整流桥
Brand: MDD

GBJ3510 型号参数

GBJ3510是品牌MDD辰达半导体，研发制造的整流桥产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如录像机、电动自行车、电动车充电器、电子湿度计、气体报警器，整流桥与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

整流桥可应用场景，如音响设备、音频功率放大器、固态硬盘、音频线材、电子门锁、电子烤箱温度计、门禁系统、 B超机等，想要了解更多整流桥相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
2W10	封装:WOM 正向压降(Vf):1V@2A 直流反向耐压(Vr):1kV 整流电流:2A 反向电流(Ir):10uA@1kV
MB6F	封装:MBF 正向压降(Vf):1.1V@1A 直流反向耐压(Vr):600V 整流电流:800mA 反向电流(Ir):5uA@600V
TTR8MF	封装:TTF 正向压降(Vf):950mV@4A 直流反向耐压(Vr):1kV 整流电流:8A 反向电流(Ir):150nA@1kV
MB10F	封装:MBF 正向压降(Vf):1.1V@500mA 直流反向耐压(Vr):1kV 整流电流:1A 反向电流(Ir):5uA@1kV
ABS10	封装:ABS 正向压降(Vf):1.1V@1A 直流反向耐压(Vr):1kV 整流电流:1A 反向电流(Ir):5uA@1kV
GBU406	封装:GBU 正向压降(Vf):1.1V@4A 直流反向耐压(Vr):600V 整流电流:4A 反向电流(Ir):10uA@600V
KBL608	封装:KBL 正向压降(Vf):1.1V@6A 直流反向耐压(Vr):800V 整流电流:6A 反向电流(Ir):10uA@800V
MSB40M	封装:UMSB 正向压降(Vf):1.1V@4A 直流反向耐压(Vr):1kV 整流电流:4A 反向电流(Ir):5uA@1kV
KBL410	封装:KBL 正向压降(Vf):1.1V@4A 直流反向耐压(Vr):1kV 整流电流:4A 反向电流(Ir):10uA@1kV
ABS210	封装:ABS 正向压降(Vf):1.1V@2A 直流反向耐压(Vr):1kV 整流电流:2A 反向电流(Ir):5uA@1kV

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