TTR8MF_MDD_辰达半导体_TTF_整流桥

Name: TTR8MF_MDD_辰达半导体_TTF_整流桥
Brand: MDD

TTR8MF 型号参数

TTR8MF是品牌MDD辰达半导体，研发制造的整流桥产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如电子体温计探头、电子脱毛器、调音台、音响系统、电子签到系统，整流桥与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

整流桥可应用场景，如电源供应器、耳机、模拟信号处理器（ASP）、无人机、智能手机、移动硬盘、信号发生器、电子厨房计时器等，想要了解更多整流桥相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
KBP310	封装：KBP 参数：VR=60V IF=2A VF=0.70V IR=500uA
MB6S	封装:MBS 正向压降(Vf):1V@400mA 直流反向耐压(Vr):600V 整流电流:800mA 反向电流(Ir):5uA@600V
RMSB40M	封装:UMSB 正向压降(Vf):1.3V@4A 直流反向耐压(Vr):1kV 整流电流:4A 反向电流(Ir):5uA@1kV
DB207S	封装:DBS 正向压降(Vf):1.1V@1A 直流反向耐压(Vr):1kV 整流电流:2A 反向电流(Ir):10uA@1kV
KBL406	封装:KBL 正向压降(Vf):1.1V@4A 直流反向耐压(Vr):600V 整流电流:4A 反向电流(Ir):10uA@600V
MB6S	封装:MBS 正向压降(Vf):1.1V@400mA 直流反向耐压(Vr):600V 整流电流:1A 反向电流(Ir):5uA@600V
MB110S	封装:MBS 正向压降(Vf):850mV@1A 直流反向耐压(Vr):100V 整流电流:1A 反向电流(Ir):200uA@100V
GBJ2510	封装：GBJ 参数：VRM=800V，IO=8.0A，IFSM=200A，VF=1.0V，IR=10uA
GBJ3510	封装:GBJ 正向压降(Vf):1.1V@17.5A 直流反向耐压(Vr):1kV 整流电流:35A 反向电流(Ir):10uA@1kV
KBU1010	封装:KBU 正向压降(Vf):1V@6A 直流反向耐压(Vr):1kV 整流电流:10A 反向电流(Ir):10uA@1kV

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