MB6S_MDD_辰达半导体_MBS_整流桥

Name: MB6S_MDD_辰达半导体_MBS_整流桥
Brand: MDD

MB6S 型号参数

MB6S是品牌MDD辰达半导体，研发制造的整流桥产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如人脸识别设备、智能照明系统、固态硬盘、心电图仪、遥控器，整流桥与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

整流桥可应用场景，如 B超机、笔记本电脑、遥控器、电子搅拌器、交换机、逻辑分析仪、触摸屏、气体报警器等，想要了解更多整流桥相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
GBU808	封装:GBU 正向压降(Vf):1V@4A 直流反向耐压(Vr):800V 整流电流:8A 反向电流(Ir):10uA@800V
GBU2510	封装:GBU 正向压降(Vf):1V@12.5A 直流反向耐压(Vr):1kV 整流电流:25A 反向电流(Ir):5uA@1kV
KBP206	封装:KBP 正向压降(Vf):1.1V@2A 直流反向耐压(Vr):600V 整流电流:2A 反向电流(Ir):10uA@600V
GBJ5010	封装:GBJ 正向压降(Vf):1.1V@25A 直流反向耐压(Vr):1kV 整流电流:50A 反向电流(Ir):10uA@1kV
DB207S	封装:DBS 正向压降(Vf):1.1V@1A 直流反向耐压(Vr):1kV 整流电流:2A 反向电流(Ir):10uA@1kV
KBU808	封装:KBU 正向压降(Vf):1.1V@8A 直流反向耐压(Vr):800V 整流电流:8A 反向电流(Ir):10uA@800V
TTR8MF	封装:TTF 正向压降(Vf):950mV@4A 直流反向耐压(Vr):1kV 整流电流:8A 反向电流(Ir):150nA@1kV
KBPC1010	封装:BR-8 正向压降(Vf):1V@5A 直流反向耐压(Vr):1kV 整流电流:10A 反向电流(Ir):10uA@1kV
GBJ2510	封装:GBJ6 正向压降(Vf):1V@12.5A 直流反向耐压(Vr):1kV 整流电流:25A 反向电流(Ir):10uA@1kV
GBJ2510	封装：GBJ 参数：VRM=800V，IO=8.0A，IFSM=200A，VF=1.0V，IR=10uA

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