MSB40M_MDD_辰达半导体_UMSB_整流桥

Name: MSB40M_MDD_辰达半导体_UMSB_整流桥
Brand: MDD

MSB40M 型号参数

MSB40M是品牌MDD辰达半导体，研发制造的整流桥产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如气体报警器、 MRI扫描仪、电子广告牌、显示器、光纤连接器，整流桥与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

整流桥可应用场景，如音频线材、电子按摩器、 MP3播放器、音响设备、虚拟现实头盔、安防监控系统、红外感应器、电子计算器等，想要了解更多整流桥相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
KBP310	封装:KBP 正向压降(Vf):1.1V@3A 直流反向耐压(Vr):1kV 整流电流:3A 反向电流(Ir):10uA@1kV
GBU810	封装:GBU 正向压降(Vf):1V@4A 直流反向耐压(Vr):1kV 整流电流:8A 反向电流(Ir):10uA@1kV
MB10F	封装：MBF 参数：VR=400V IF=2A VF=1.25V IR=5uA trr=35nS
DB207S	封装:DBS 正向压降(Vf):1.1V@1A 直流反向耐压(Vr):1kV 整流电流:2A 反向电流(Ir):10uA@1kV
KBL608	封装：KBL 参数：VR=400V IF=3A VF=1.3V IR=5uA trr=50nS
GBJ5010	桥式整流器/整流桥 1kV 50A 1.1V@25A GBJ
TTR8MF	封装:TTF 正向压降(Vf):950mV@4A 直流反向耐压(Vr):1kV 整流电流:8A 反向电流(Ir):150nA@1kV
DB107S	封装：DBS 参数：VR=1000V IF=3A VF=1.7V IR=5uA trr=75nS
GBU1010	封装:GBU 正向压降(Vf):1.1V@5A 直流反向耐压(Vr):1kV 整流电流:10A 反向电流(Ir):10uA@1kV
GBJ5010	封装:GBJ 正向压降(Vf):1.1V@25A 直流反向耐压(Vr):1kV 整流电流:50A 反向电流(Ir):10uA@1kV

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