GBU810_MDD_辰达半导体_GBU_整流桥

Name: GBU810_MDD_辰达半导体_GBU_整流桥
Brand: MDD

GBU810 型号参数

GBU810是品牌MDD辰达半导体，研发制造的整流桥产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如液晶显示器、触摸屏、游戏机、电磁炉、机器人，整流桥与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

整流桥可应用场景，如扫地机器人、扬声器、直流电源、射频连接器、安防监控系统、电子游戏机手柄、电子计算器、电子驱蚊器等，想要了解更多整流桥相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
DB107	封装:DB 正向压降(Vf):1.1V@1A 直流反向耐压(Vr):1kV 整流电流:1A 反向电流(Ir):10uA@1kV
GBJ3510	封装:GBJ 正向压降(Vf):1.1V@17.5A 直流反向耐压(Vr):1kV 整流电流:35A 反向电流(Ir):10uA@1kV
DB207S	封装:DBS 正向压降(Vf):1.1V@1A 直流反向耐压(Vr):1kV 整流电流:2A 反向电流(Ir):10uA@1kV
MB10F	封装:MBF 正向压降(Vf):1.1V@500mA 直流反向耐压(Vr):1kV 整流电流:1A 反向电流(Ir):5uA@1kV
GBU806	封装:GBU 正向压降(Vf):1.1V@4A 直流反向耐压(Vr):600V 整流电流:8A 反向电流(Ir):10uA@600V
RMSB40M	封装:UMSB 正向压降(Vf):1.3V@4A 直流反向耐压(Vr):1kV 整流电流:4A 反向电流(Ir):5uA@1kV
GBJ2510	封装：GBJ 参数：VRM=800V，IO=8.0A，IFSM=200A，VF=1.0V，IR=10uA
KBP307	封装:KBP 正向压降(Vf):1.1V@3A 直流反向耐压(Vr):600V 整流电流:3A 反向电流(Ir):10uA@600V
KBP210	封装:KBP 正向压降(Vf):1.1V@2A 直流反向耐压(Vr):1kV 整流电流:2A 反向电流(Ir):10uA@1kV
MB6F	封装:MBF 正向压降(Vf):1.1V@1A 直流反向耐压(Vr):600V 整流电流:800mA 反向电流(Ir):5uA@600V

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