LP3218DT1G是品牌LRC乐山无线电，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 电子书阅读器、 B超机、 现场可编程门阵列（FPGA）、 烤箱、 数字信号处理器（DSP） ，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。
产品数据
- 型号：LP3218DT1G
- 品牌：乐山无线电(LRC)
- 分类：MOSFETs
- 参数：MOS管 P-channel Id=8.2A VDS=12V DFN6_2X2MM
应用场景
MOSFETs可应用场景，如 电子签到系统、 可编程逻辑控制器（PLC）、 电动自行车、 话筒（麦克风）、 手机充电器、 耳机、 交流电源、 平板电脑 等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。
选型表
| 型号 | 参数 |
| LN2306LT1G | 30V N沟道增强型MOSFET |
| L2N7002WT1G | 小信号MOSFET 115mA，60V N沟道SC70 |
| SRK7002LT1G | MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=115mA RDS(ON)=7.5Ω SOT23 |
| LP3443LT1G | 20V P沟道增强型MOSFET |
| LP0404N3T5G | P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：1.4A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：480mΩ@4.5V |
| LBSS139WT1G | MOS管 N-Channel VDS=50V VGS=±20V ID=200mA RDS(ON)=5.6@2.75V SOT323 |
| LP4101LT1G | P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：2.3A 功率(Pd)：900mW |
| LSI1012N3T5G | N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：500mA 功率(Pd)：250mW |
| LN2312LT1G | 20V N沟道增强型MOSFET |
| LSI1012XT1G | 20V 0.5A 250mW 410mΩ@4.5V,600mA 0.9V@250uA N Channel 750pC@4.5V -55℃~+150℃@(Tj) SC-89 |
