Name: LSI1012XT1G_LRC_乐山无线电_SC89_MOSFETs
Brand: LRC

LSI1012XT1G 型号参数

LSI1012XT1G是品牌LRC乐山无线电，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如电磁炉、电子血压手环、功放设备、热水器、电子美容仪，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

产品数据

型号：LSI1012XT1G
品牌：乐山无线电(LRC)
分类：MOSFETs
参数：20V 0.5A 250mW 410mΩ@4.5V,600mA 0.9V@250uA N Channel 750pC@4.5V -55℃~+150℃@(Tj) SC-89

应用场景

MOSFETs可应用场景，如智能安防摄像头、 B超机、 RFID读写器、电动自行车控制器、汽车、冰箱、电子门禁卡、视频线材等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
LP3443LT1G	20V P沟道增强型MOSFET
LSI1012XT1G	20V 0.5A 250mW 410mΩ@4.5V,600mA 0.9V@250uA N Channel 750pC@4.5V -55℃~+150℃@(Tj) SC-89
LN2502LT1G	N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：6A
L2N7002SLT1G	SOT23 SMT 60V N–Channel
LN2312LT1G	20V N沟道增强型MOSFET
LP3407LT1G	P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：4.1A 功率(Pd)：1.4W
LBSS84LT1G	SOT23 SMT 50V 225mW P–Channel
LN2306LT1G	30V N沟道增强型MOSFET
LP0404N3T5G	P沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：1.4A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：480mΩ@4.5V
LN2302BLT1G	20V N沟道增强型MOSFET