LP2307LT1G是品牌LRC乐山无线电，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 蓝牙音箱、 路由器、 实验室离心机、 固态硬盘、 移动硬盘 ，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。
产品数据
- 型号：LP2307LT1G
- 品牌：乐山无线电(LRC)
- 分类：MOSFETs
- 参数：MOSFET 16V 4.7A 70mΩ@4.5V,4.7A 1.1W 1.4V@250uA P Channel SOT-23
应用场景
MOSFETs可应用场景，如 烟雾报警器、 电子计算器、 智能手表、 微波炉、 电子美容仪、 电子翻译器、 笔记本电脑、 遥控器 等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。
选型表
| 型号 | 参数 |
| LBSS84LT1G | SOT23 SMT 50V 225mW P–Channel |
| LP3218DT1G | MOS管 P-channel Id=8.2A VDS=12V DFN6_2X2MM |
| L2SK3018WT1G | MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=100A RDS(ON)=5Ω SC70 |
| L2SK801LT1G | N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：310mA 功率(Pd)：300mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2.5Ω@10V,500mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.2V@250μA N沟道,60V,0.31A,1.5Ω@1.8V |
| LSI1012XT1G | 20V 0.5A 250mW 410mΩ@4.5V,600mA 0.9V@250uA N Channel 750pC@4.5V -55℃~+150℃@(Tj) SC-89 |
| LP3443LT1G | 20V P沟道增强型MOSFET |
| LP0404N3T5G | P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：1.4A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：480mΩ@4.5V |
| LN2306LT1G | 30V N沟道增强型MOSFET |
| L2N7002DW1T1G | MOSFETs Dual N-channel VDS=60V VGS=±20V ID=500mA SOT363-6 |
| LN2302BLT1G | 20V N沟道增强型MOSFET |
