LP2307LT1G是品牌LRC乐山无线电，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 电子脱毛器、 信号发生器、 实验室离心机、 电子罗盘、 摩托车 ，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。
产品数据
- 型号：LP2307LT1G
- 品牌：乐山无线电(LRC)
- 分类：MOSFETs
- 参数：MOSFET 16V 4.7A 70mΩ@4.5V,4.7A 1.1W 1.4V@250uA P Channel SOT-23
应用场景
MOSFETs可应用场景，如 电动车充电器、 安防摄像头、 电子温度计、 电子榨汁机、 内存条、 平板电脑、 电子除湿机、 固态硬盘 等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。
选型表
| 型号 | 参数 |
| LP0404N3T5G | P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：1.4A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：480mΩ@4.5V |
| LBSS139WT1G | MOS管 N-Channel VDS=50V VGS=±20V ID=200mA RDS(ON)=5.6@2.75V SOT323 |
| LN2302BLT1G | 20V N沟道增强型MOSFET |
| L2N7002SLT1G | SOT23 SMT 60V N–Channel |
| LP2301LT1G | 20V P沟道增强型MOSFET |
| L2N7002LT1G | MOSFETs N-Channel VDSS=60V PD=225mW ID=500mA SOT23 |
| LBSS84ELT1G | P沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：130mA 功率(Pd)：225mW |
| L2SK3018WT1G | MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=100A RDS(ON)=5Ω SC70 |
| LP3218DT1G | MOS管 P-channel Id=8.2A VDS=12V DFN6_2X2MM |
| LP4101LT1G | P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：2.3A 功率(Pd)：900mW |
