L2SK3018WT1G是品牌LRC乐山无线电，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 电子手表、 电子助听器、 移动硬盘、 逆变器、 路由器 ，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。
产品数据
- 型号：L2SK3018WT1G
- 品牌：乐山无线电(LRC)
- 分类：MOSFETs
- 参数：MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=100A RDS(ON)=5Ω SC70
应用场景
MOSFETs可应用场景，如 无人机、 电子厨房计时器、 饮水机、 数码相机、 智能照明系统、 不间断电源（UPS）、 电动工具、 电子翻译器 等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。
选型表
| 型号 | 参数 |
| L2N7002SDW1T1G | 2个N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：320mA 功率(Pd)：300mW |
| LP2307LT1G | MOSFET 16V 4.7A 70mΩ@4.5V,4.7A 1.1W 1.4V@250uA P Channel SOT-23 |
| L2N7002WT1G | 小信号MOSFET 115mA，60V N沟道SC70 |
| LP3415ELT1G | MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±8V ID=4A RDS(ON)=85mΩ@1.8V SOT23 |
| LN2312LT1G | 20V N沟道增强型MOSFET |
| LP2301ELT1G | MOSFETs P-CH 20V 2.8A 110mΩ@4.5V,2.8A SOT23 |
| LBSS260DW1T1G | 60V 0.2A 380mW 1.44Ω@10V,500mA 1V@250uA SC-88 |
| LBSS84WT1G | P沟道 漏源电压(Vdss)：50V 连续漏极电流(Id)：130mA 功率(Pd)：225mW |
| LP9435LT1G | 30V 5.3A 50mΩ@10V,5.3A 1.4W 3V@250uA 51pF@15V P Channel 644pF@15V 10nC@10V -55℃~+150℃@(Tj) SOT-23 |
| L2N7002DW1T1G | MOSFETs Dual N-channel VDS=60V VGS=±20V ID=500mA SOT363-6 |
