L2SK3018WT1G是品牌LRC乐山无线电，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 电子词典、 计算机、 扫描仪、 LED显示器、 录像机 ，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。
产品数据
- 型号：L2SK3018WT1G
- 品牌：乐山无线电(LRC)
- 分类：MOSFETs
- 参数：MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=100A RDS(ON)=5Ω SC70
应用场景
MOSFETs可应用场景，如 烤箱、 电子罗盘、 机械硬盘、 电子厨房计时器、 数码相机、 无人机、 复印机、 MP3播放器 等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。
选型表
| 型号 | 参数 |
| LP3407LT1G | P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：4.1A 功率(Pd)：1.4W |
| LP3218DT1G | MOS管 P-channel Id=8.2A VDS=12V DFN6_2X2MM |
| LN2306LT1G | 30V N沟道增强型MOSFET |
| LBSS84ELT1G | P沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：130mA 功率(Pd)：225mW |
| L2N7002KDW1T1G | MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=380A RDS(ON)=2.7mΩ@5V SOT363 |
| LSI1013XT1G | P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：350mA 功率(Pd)：250mW |
| L2N7002DW1T1G | MOSFETs Dual N-channel VDS=60V VGS=±20V ID=500mA SOT363-6 |
| LBSS84WT1G | P沟道 漏源电压(Vdss)：50V 连续漏极电流(Id)：130mA 功率(Pd)：225mW |
| LSI1012N3T5G | N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：500mA 功率(Pd)：250mW |
| LSI1012XT1G | 20V 0.5A 250mW 410mΩ@4.5V,600mA 0.9V@250uA N Channel 750pC@4.5V -55℃~+150℃@(Tj) SC-89 |
