Name: LP3415ELT1G_LRC_乐山无线电_SOT-23_MOSFETs
Brand: LRC

LP3415ELT1G 型号参数

LP3415ELT1G是品牌LRC乐山无线电，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如显示器、 X光机、智能插座、数码相机、电动工具，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

产品数据

应用场景

MOSFETs可应用场景，如稳压电源、智能手表、安防摄像头、信号发生器、智能门锁、显示器、 LED显示器、电子体重秤等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
LBSS123LT1G	SOT23 SMT 100V
LN2302LT1G	N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：2.3A 功率(Pd)：900mW
LSI1012N3T5G	N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：500mA 功率(Pd)：250mW
L2N7002SDW1T1G	2个N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：320mA 功率(Pd)：300mW
L2N7002KDW1T1G	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=380A RDS(ON)=2.7mΩ@5V SOT363
LP0404N3T5G	P沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：1.4A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：480mΩ@4.5V
L2N7002WT1G	小信号MOSFET 115mA，60V N沟道SC70
LBSS139LT1G	50V 0.2A 225mW 3.5Ω@5V,200mA 1.5V N Channel SOT-23
L2N7002KLT1G	MOSFETs N-沟道 Vdss=60V Id@25℃=320mA SOT23
LN2502LT1G	N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：6A