Name: L2N7002KDW1T1G_LRC_乐山无线电_SOT-363_MOSFETs
Brand: LRC

L2N7002KDW1T1G 型号参数

L2N7002KDW1T1G是品牌LRC乐山无线电，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如电子血压手环、 CT扫描仪、智能插座、声卡、血糖仪，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

产品数据

应用场景

MOSFETs可应用场景，如扫描仪、电视机、 USB闪存盘、 LED照明灯、调制解调器、电子脱毛器、不间断电源（UPS）、 DVD播放器等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
L2N7002SDW1T1G	2个N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：320mA 功率(Pd)：300mW
LBSS123LT1G	SOT23 SMT 100V
SRK7002LT1G	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=115mA RDS(ON)=7.5Ω SOT23
LP3407LT1G	P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：4.1A 功率(Pd)：1.4W
LBSS84LT1G	SOT23 SMT 50V 225mW P–Channel
LBSS84WT1G	P沟道漏源电压(Vdss)：50V 连续漏极电流(Id)：130mA 功率(Pd)：225mW
S-L2N7002SLT1G	S-L2N7002SLT1G
LBSS84ELT1G	P沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：130mA 功率(Pd)：225mW
LN2312LT1G	20V N沟道增强型MOSFET
LP0404N3T5G	P沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：1.4A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：480mΩ@4.5V