L2N7002KDW1T1G是品牌LRC乐山无线电，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 音频线材、 单片机、 逆变器、 电子翻译器、 电子烤箱温度计 ，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。
产品数据
- 型号：L2N7002KDW1T1G
- 品牌：乐山无线电(LRC)
- 分类：MOSFETs
- 参数：MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=380A RDS(ON)=2.7mΩ@5V SOT363
应用场景
MOSFETs可应用场景，如 DVD播放器、 遥控器、 电磁炉、 光纤连接器、 RFID读写器、 电子湿度计、 吸尘器、 电子厨房计时器 等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。
选型表
| 型号 | 参数 |
| L2SK801LT1G | N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：310mA 功率(Pd)：300mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2.5Ω@10V,500mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.2V@250μA N沟道,60V,0.31A,1.5Ω@1.8V |
| LBSS139LT1G | 50V 0.2A 225mW 3.5Ω@5V,200mA 1.5V N Channel SOT-23 |
| LP3415ELT1G | MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±8V ID=4A RDS(ON)=85mΩ@1.8V SOT23 |
| LP3443LT1G | 20V P沟道增强型MOSFET |
| LBSS138LT1G | SOT23 SMT 50V 225mW N–Channel |
| L2N7002WT1G | 小信号MOSFET 115mA，60V N沟道SC70 |
| L2N7002SDW1T1G | 2个N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：320mA 功率(Pd)：300mW |
| LN4812LT1G | MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=6A RDS(ON)=22mΩ@10V SOT23 |
| L2N7002LT1G | MOSFETs N-Channel VDSS=60V PD=225mW ID=500mA SOT23 |
| LP4101LT1G | P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：2.3A 功率(Pd)：900mW |
