Name: LBSS139LT1G_LRC_乐山无线电_SOT-23_MOSFETs
Brand: LRC

LBSS139LT1G 型号参数

LBSS139LT1G是品牌LRC乐山无线电，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如电子翻译器、电动车充电器、平板电脑、笔记本电脑、电子空气净化器，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

产品数据

应用场景

MOSFETs可应用场景，如电子罗盘、打印机、电子除湿机、触摸屏、电子阅读器、录像机、电子血压计、音响设备等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
LN2306LT1G	30V N沟道增强型MOSFET
LBSS138LT1G	SOT23 SMT 50V 225mW N–Channel
L2N7002SLT1G	SOT23 SMT 60V N–Channel
L2SK3018WT1G	MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=100A RDS(ON)=5Ω SC70
L2SK801LT1G	N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：310mA 功率(Pd)：300mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2.5Ω@10V,500mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.2V@250μA N沟道,60V,0.31A,1.5Ω@1.8V
LBSS84LT1G	SOT23 SMT 50V 225mW P–Channel
S-L2N7002SLT1G	S-L2N7002SLT1G
LBSS260DW1T1G	60V 0.2A 380mW 1.44Ω@10V,500mA 1V@250uA SC-88
LSI1013XT1G	P沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：350mA 功率(Pd)：250mW
LP2301LT1G	20V P沟道增强型MOSFET