Name: L2N7002SLT1G_LRC_乐山无线电_SOT-23_MOSFETs
Brand: LRC

L2N7002SLT1G 型号参数

L2N7002SLT1G是品牌LRC乐山无线电，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 MP4播放器、电子秤、智能安防摄像头、 USB闪存盘、电子榨汁机，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

产品数据

应用场景

型号	参数
LP3407LT1G	P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：4.1A 功率(Pd)：1.4W
LN2302BLT1G	20V N沟道增强型MOSFET
S-L2N7002SLT1G	S-L2N7002SLT1G
L2SK3018WT1G	MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=100A RDS(ON)=5Ω SC70
LP4101LT1G	P沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：2.3A 功率(Pd)：900mW
L2N7002SDW1T1G	2个N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：320mA 功率(Pd)：300mW
LBSS123LT1G	SOT23 SMT 100V
LN4501LTIG	20 V, 3.2 A, Single N−Channel,SOT−23
LP3415ELT1G	MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±8V ID=4A RDS(ON)=85mΩ@1.8V SOT23
LP2301LT1G	20V P沟道增强型MOSFET