LP3407LT1G是品牌LRC乐山无线电，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 虚拟现实头盔、 光纤连接器、 模拟信号处理器（ASP）、 冰箱、 门禁系统 ，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。
产品数据
- 型号：LP3407LT1G
- 品牌：乐山无线电(LRC)
- 分类：MOSFETs
- 参数：P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：4.1A 功率(Pd)：1.4W
应用场景
MOSFETs可应用场景，如 现场可编程门阵列（FPGA）、 智能插座、 汽车、 电子加湿器、 音频功率放大器、 电子搅拌器、 功放设备、 路由器 等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。
选型表
| 型号 | 参数 |
| L2N7002KDW1T1G | MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=380A RDS(ON)=2.7mΩ@5V SOT363 |
| L2SK801LT1G | N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：310mA 功率(Pd)：300mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2.5Ω@10V,500mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.2V@250μA N沟道,60V,0.31A,1.5Ω@1.8V |
| LP3443LT1G | 20V P沟道增强型MOSFET |
| LN2306LT1G | 30V N沟道增强型MOSFET |
| LBSS123LT1G | SOT23 SMT 100V |
| LSI1013XT1G | P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：350mA 功率(Pd)：250mW |
| LP2301ELT1G | MOSFETs P-CH 20V 2.8A 110mΩ@4.5V,2.8A SOT23 |
| LN4501LTIG | 20 V, 3.2 A, Single N−Channel,SOT−23 |
| LBSS138LT1G | SOT23 SMT 50V 225mW N–Channel |
| LBSS139WT1G | MOS管 N-Channel VDS=50V VGS=±20V ID=200mA RDS(ON)=5.6@2.75V SOT323 |
