LN2502LT1G是品牌LRC乐山无线电，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 稳压电源、 电动自行车、 电子除螨仪、 智能照明系统、 电子驱蚊器 ，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。
产品数据
- 型号：LN2502LT1G
- 品牌：乐山无线电(LRC)
- 分类：MOSFETs
- 参数：N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：6A
应用场景
MOSFETs可应用场景，如 单片机、 显示器、 指纹识别器、 电子广告牌、 电子厨房计时器、 电子加湿器、 微波炉、 RFID读写器 等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。
选型表
| 型号 | 参数 |
| LBSS139LT1G | 50V 0.2A 225mW 3.5Ω@5V,200mA 1.5V N Channel SOT-23 |
| L2SK3018WT1G | MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=100A RDS(ON)=5Ω SC70 |
| LN2302LT1G | N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：2.3A 功率(Pd)：900mW |
| SRK7002LT1G | MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=115mA RDS(ON)=7.5Ω SOT23 |
| L2N7002WT1G | 小信号MOSFET 115mA，60V N沟道SC70 |
| LN2306LT1G | 30V N沟道增强型MOSFET |
| L2N7002SLT1G | SOT23 SMT 60V N–Channel |
| LBSS84WT1G | P沟道 漏源电压(Vdss)：50V 连续漏极电流(Id)：130mA 功率(Pd)：225mW |
| LP2301LT1G | 20V P沟道增强型MOSFET |
| L2SK801LT1G | N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：310mA 功率(Pd)：300mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2.5Ω@10V,500mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.2V@250μA N沟道,60V,0.31A,1.5Ω@1.8V |
