Name: L2SK801LT1G_LRC_乐山无线电_SOT-23_MOSFETs
Brand: LRC

L2SK801LT1G 型号参数

L2SK801LT1G是品牌LRC乐山无线电，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 LED显示器、固态硬盘、无线网卡、智能手表、智能手机，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

产品数据

型号：L2SK801LT1G
品牌：乐山无线电(LRC)
分类：MOSFETs
参数：N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：310mA 功率(Pd)：300mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2.5Ω@10V,500mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.2V@250μA N沟道,60V,0.31A,1.5Ω@1.8V

应用场景

MOSFETs可应用场景，如电磁炉、电子胎心监测仪、视频线材、耳机、话筒（麦克风）、无人机、电动车、 MP3播放器等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
LSI1013XT1G	P沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：350mA 功率(Pd)：250mW
L2N7002WT1G	小信号MOSFET 115mA，60V N沟道SC70
LN2312LT1G	20V N沟道增强型MOSFET
L2N7002SLT1G	SOT23 SMT 60V N–Channel
LP2307LT1G	MOSFET 16V 4.7A 70mΩ@4.5V,4.7A 1.1W 1.4V@250uA P Channel SOT-23
L2N7002DW1T1G	MOSFETs Dual N-channel VDS=60V VGS=±20V ID=500mA SOT363-6
L2N7002KLT1G	MOSFETs N-沟道 Vdss=60V Id@25℃=320mA SOT23
LP2301ELT1G	MOSFETs P-CH 20V 2.8A 110mΩ@4.5V,2.8A SOT23
S-L2N7002SLT1G	S-L2N7002SLT1G
L2N7002SDW1T1G	2个N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：320mA 功率(Pd)：300mW