L2N7002DW1T1G是品牌LRC乐山无线电，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 显卡、 气体报警器、 逆变器、 触摸屏、 移动硬盘 ，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。
产品数据
- 型号：L2N7002DW1T1G
- 品牌：乐山无线电(LRC)
- 分类：MOSFETs
- 参数：MOSFETs Dual N-channel VDS=60V VGS=±20V ID=500mA SOT363-6
应用场景
MOSFETs可应用场景，如 MP4播放器、 电源供应器、 电子烤箱温度计、 直流电源、 频谱分析仪、 视频线材、 指纹识别器、 调制解调器 等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。
选型表
| 型号 | 参数 |
| S-L2N7002SLT1G | S-L2N7002SLT1G |
| LP2307LT1G | MOSFET 16V 4.7A 70mΩ@4.5V,4.7A 1.1W 1.4V@250uA P Channel SOT-23 |
| LSI1012XT1G | 20V 0.5A 250mW 410mΩ@4.5V,600mA 0.9V@250uA N Channel 750pC@4.5V -55℃~+150℃@(Tj) SC-89 |
| LN4812LT1G | MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=6A RDS(ON)=22mΩ@10V SOT23 |
| LN2312LT1G | 20V N沟道增强型MOSFET |
| LBSS139WT1G | MOS管 N-Channel VDS=50V VGS=±20V ID=200mA RDS(ON)=5.6@2.75V SOT323 |
| LP2301LT1G | 20V P沟道增强型MOSFET |
| LBSS84LT1G | SOT23 SMT 50V 225mW P–Channel |
| LP3218DT1G | MOS管 P-channel Id=8.2A VDS=12V DFN6_2X2MM |
| LBSS84WT1G | P沟道 漏源电压(Vdss)：50V 连续漏极电流(Id)：130mA 功率(Pd)：225mW |
