LP3218DT1G是品牌LRC乐山无线电，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 射频连接器、 声卡、 视频线材、 智能门锁、 可编程逻辑控制器（PLC） ，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。
产品数据
- 型号：LP3218DT1G
- 品牌：乐山无线电(LRC)
- 分类：MOSFETs
- 参数：MOS管 P-channel Id=8.2A VDS=12V DFN6_2X2MM
应用场景
MOSFETs可应用场景，如 无人机、 频谱分析仪、 烟雾报警器、 门禁系统、 红外感应器、 微波炉、 LCD显示屏、 虚拟现实头盔 等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。
选型表
| 型号 | 参数 |
| LBSS123LT1G | SOT23 SMT 100V |
| LP0404N3T5G | P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：1.4A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：480mΩ@4.5V |
| LBSS139WT1G | MOS管 N-Channel VDS=50V VGS=±20V ID=200mA RDS(ON)=5.6@2.75V SOT323 |
| SRK7002LT1G | MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=115mA RDS(ON)=7.5Ω SOT23 |
| LSI1012N3T5G | N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：500mA 功率(Pd)：250mW |
| L2SK801LT1G | N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：310mA 功率(Pd)：300mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2.5Ω@10V,500mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.2V@250μA N沟道,60V,0.31A,1.5Ω@1.8V |
| LP3415ELT1G | MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±8V ID=4A RDS(ON)=85mΩ@1.8V SOT23 |
| L2N7002KDW1T1G | MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=380A RDS(ON)=2.7mΩ@5V SOT363 |
| LP3443LT1G | 20V P沟道增强型MOSFET |
| LN4812LT1G | MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=6A RDS(ON)=22mΩ@10V SOT23 |
