LN4812LT1G是品牌LRC乐山无线电，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 X光机、 电子气压计、 声卡、 笔记本电脑、 音频线材 ，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。
产品数据
- 型号：LN4812LT1G
- 品牌：乐山无线电(LRC)
- 分类：MOSFETs
- 参数：MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=6A RDS(ON)=22mΩ@10V SOT23
应用场景
MOSFETs可应用场景，如 电子书阅读器、 智能安防摄像头、 心电图仪、 音频信号处理器、 电动自行车控制器、 机械硬盘、 网络适配器、 调音台 等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。
选型表
| 型号 | 参数 |
| LN2502LT1G | N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：6A |
| L2N7002SLT1G | SOT23 SMT 60V N–Channel |
| LSI1012N3T5G | N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：500mA 功率(Pd)：250mW |
| L2N7002KLT1G | MOSFETs N-沟道 Vdss=60V Id@25℃=320mA SOT23 |
| L2N7002WT1G | 小信号MOSFET 115mA，60V N沟道SC70 |
| LBSS139LT1G | 50V 0.2A 225mW 3.5Ω@5V,200mA 1.5V N Channel SOT-23 |
| L2SK801LT1G | N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：310mA 功率(Pd)：300mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2.5Ω@10V,500mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.2V@250μA N沟道,60V,0.31A,1.5Ω@1.8V |
| LP2301ELT1G | MOSFETs P-CH 20V 2.8A 110mΩ@4.5V,2.8A SOT23 |
| LP3407LT1G | P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：4.1A 功率(Pd)：1.4W |
| LBSS84ELT1G | P沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：130mA 功率(Pd)：225mW |
