LN4812LT1G是品牌LRC乐山无线电，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 复印机、 电子罗盘、 X光机、 电子除螨仪、 摄像头 ，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。
产品数据
- 型号：LN4812LT1G
- 品牌：乐山无线电(LRC)
- 分类：MOSFETs
- 参数：MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=6A RDS(ON)=22mΩ@10V SOT23
应用场景
MOSFETs可应用场景，如 交流电源、 DVD播放器、 门禁系统、 可编程逻辑控制器（PLC）、 电子秤、 电子除螨仪、 智能照明系统、 现场可编程门阵列（FPGA） 等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。
选型表
| 型号 | 参数 |
| LN2302LT1G | N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：2.3A 功率(Pd)：900mW |
| LSI1012XT1G | 20V 0.5A 250mW 410mΩ@4.5V,600mA 0.9V@250uA N Channel 750pC@4.5V -55℃~+150℃@(Tj) SC-89 |
| LP2301LT1G | 20V P沟道增强型MOSFET |
| LN4501LTIG | 20 V, 3.2 A, Single N−Channel,SOT−23 |
| LBSS84WT1G | P沟道 漏源电压(Vdss)：50V 连续漏极电流(Id)：130mA 功率(Pd)：225mW |
| LBSS139WT1G | MOS管 N-Channel VDS=50V VGS=±20V ID=200mA RDS(ON)=5.6@2.75V SOT323 |
| L2N7002LT1G | MOSFETs N-Channel VDSS=60V PD=225mW ID=500mA SOT23 |
| LBSS84ELT1G | P沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：130mA 功率(Pd)：225mW |
| LP3407LT1G | P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：4.1A 功率(Pd)：1.4W |
| LBSS260DW1T1G | 60V 0.2A 380mW 1.44Ω@10V,500mA 1V@250uA SC-88 |
