LBSS84ELT1G是品牌LRC乐山无线电，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 复印机、 蓝牙耳机、 稳压电源、 笔记本电脑、 电动自行车 ，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。
产品数据
- 型号：LBSS84ELT1G
- 品牌：乐山无线电(LRC)
- 分类：MOSFETs
- 参数：P沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：130mA 功率(Pd)：225mW
应用场景
MOSFETs可应用场景，如 打印机、 电饭煲、 电子灭蚊灯、 交流电源、 网络适配器、 模拟信号处理器（ASP）、 电子除螨仪、 功放设备 等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。
选型表
| 型号 | 参数 |
| LSI1012N3T5G | N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：500mA 功率(Pd)：250mW |
| LP3407LT1G | P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：4.1A 功率(Pd)：1.4W |
| LBSS84ELT1G | P沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：130mA 功率(Pd)：225mW |
| L2N7002WT1G | 小信号MOSFET 115mA，60V N沟道SC70 |
| LP2301LT1G | 20V P沟道增强型MOSFET |
| SRK7002LT1G | MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=115mA RDS(ON)=7.5Ω SOT23 |
| LN2302BLT1G | 20V N沟道增强型MOSFET |
| LSI1012XT1G | 20V 0.5A 250mW 410mΩ@4.5V,600mA 0.9V@250uA N Channel 750pC@4.5V -55℃~+150℃@(Tj) SC-89 |
| LP0404N3T5G | P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：1.4A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：480mΩ@4.5V |
| LSI1013XT1G | P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：350mA 功率(Pd)：250mW |
