LSI1013XT1G是品牌LRC乐山无线电，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 智能插座、 电子词典、 液晶显示器、 射频连接器、 模拟信号处理器（ASP） ，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。
产品数据
- 型号：LSI1013XT1G
- 品牌：乐山无线电(LRC)
- 分类：MOSFETs
- 参数：P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：350mA 功率(Pd)：250mW
应用场景
MOSFETs可应用场景，如 视频线材、 扫描仪、 数码相机、 单片机、 电动车、 心电图仪、 血糖仪、 电子净水器 等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。
选型表
| 型号 | 参数 |
| L2SK3018WT1G | MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=100A RDS(ON)=5Ω SC70 |
| LN2312LT1G | 20V N沟道增强型MOSFET |
| LSI1012XT1G | 20V 0.5A 250mW 410mΩ@4.5V,600mA 0.9V@250uA N Channel 750pC@4.5V -55℃~+150℃@(Tj) SC-89 |
| SRK7002LT1G | MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=115mA RDS(ON)=7.5Ω SOT23 |
| LN4812LT1G | MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=6A RDS(ON)=22mΩ@10V SOT23 |
| L2N7002LT1G | MOSFETs N-Channel VDSS=60V PD=225mW ID=500mA SOT23 |
| LBSS84LT1G | SOT23 SMT 50V 225mW P–Channel |
| L2N7002KLT1G | MOSFETs N-沟道 Vdss=60V Id@25℃=320mA SOT23 |
| LSI1012N3T5G | N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：500mA 功率(Pd)：250mW |
| LN2302LT1G | N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：2.3A 功率(Pd)：900mW |
