LP2301LT1G是品牌LRC乐山无线电，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 话筒（麦克风）、 机器人、 智能家居控制器、 电子书阅读器、 虚拟现实头盔 ，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。
产品数据
- 型号：LP2301LT1G
- 品牌：乐山无线电(LRC)
- 分类：MOSFETs
- 参数：20V P沟道增强型MOSFET
应用场景
MOSFETs可应用场景，如 B超机、 音响设备、 智能门锁、 烟雾报警器、 射频连接器、 电动车、 汽车、 笔记本电脑 等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。
选型表
| 型号 | 参数 |
| LP3415ELT1G | MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±8V ID=4A RDS(ON)=85mΩ@1.8V SOT23 |
| LP3401LT1G | 30V P沟道增强型MOSFET |
| LP4101LT1G | P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：2.3A 功率(Pd)：900mW |
| LBSS260DW1T1G | 60V 0.2A 380mW 1.44Ω@10V,500mA 1V@250uA SC-88 |
| LN2312LT1G | 20V N沟道增强型MOSFET |
| LSI1012N3T5G | N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：500mA 功率(Pd)：250mW |
| L2N7002DW1T1G | MOSFETs Dual N-channel VDS=60V VGS=±20V ID=500mA SOT363-6 |
| LBSS84WT1G | P沟道 漏源电压(Vdss)：50V 连续漏极电流(Id)：130mA 功率(Pd)：225mW |
| LSI1012XT1G | 20V 0.5A 250mW 410mΩ@4.5V,600mA 0.9V@250uA N Channel 750pC@4.5V -55℃~+150℃@(Tj) SC-89 |
| LN4501LTIG | 20 V, 3.2 A, Single N−Channel,SOT−23 |
