LBSS84WT1G是品牌LRC乐山无线电，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 电视机、 扫地机器人、 指纹识别器、 吸尘器、 电子驱蚊器 ，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。
产品数据
- 型号：LBSS84WT1G
- 品牌：乐山无线电(LRC)
- 分类：MOSFETs
- 参数：P沟道 漏源电压(Vdss)：50V 连续漏极电流(Id)：130mA 功率(Pd)：225mW
应用场景
MOSFETs可应用场景，如 平板电脑、 可编程逻辑控制器（PLC）、 电子血压计、 X光机、 笔记本电脑、 虚拟现实头盔、 洗衣机、 液晶显示器 等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。
选型表
| 型号 | 参数 |
| LP2301LT1G | 20V P沟道增强型MOSFET |
| LSI1012N3T5G | N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：500mA 功率(Pd)：250mW |
| LBSS84LT1G | SOT23 SMT 50V 225mW P–Channel |
| LN4812LT1G | MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=6A RDS(ON)=22mΩ@10V SOT23 |
| LN2502LT1G | N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：6A |
| LN2302LT1G | N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：2.3A 功率(Pd)：900mW |
| LBSS84WT1G | P沟道 漏源电压(Vdss)：50V 连续漏极电流(Id)：130mA 功率(Pd)：225mW |
| L2N7002SDW1T1G | 2个N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：320mA 功率(Pd)：300mW |
| LP3218DT1G | MOS管 P-channel Id=8.2A VDS=12V DFN6_2X2MM |
| LP4101LT1G | P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：2.3A 功率(Pd)：900mW |
