Name: L2N7002SDW1T1G_LRC_乐山无线电_SOT-363_MOSFETs
Brand: LRC

L2N7002SDW1T1G 型号参数

L2N7002SDW1T1G是品牌LRC乐山无线电，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 B超机、机械硬盘、智能手环、汽车电子控制系统、微处理器，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

产品数据

应用场景

MOSFETs可应用场景，如 MRI扫描仪、机器人、平板电脑、数码相机、变压器、单片机、扬声器、微波炉等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
LBSS84WT1G	P沟道漏源电压(Vdss)：50V 连续漏极电流(Id)：130mA 功率(Pd)：225mW
LP2307LT1G	MOSFET 16V 4.7A 70mΩ@4.5V,4.7A 1.1W 1.4V@250uA P Channel SOT-23
LBSS84ELT1G	P沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：130mA 功率(Pd)：225mW
L2N7002WT1G	小信号MOSFET 115mA，60V N沟道SC70
LBSS84LT1G	SOT23 SMT 50V 225mW P–Channel
LSI1012LT1G	20V 0.5A 225mW 700mΩ@4.5V,600mA 0.9V@250uA N Channel SOT-23-3L
LN2306LT1G	30V N沟道增强型MOSFET
S-L2N7002SLT1G	S-L2N7002SLT1G
LN2312LT1G	20V N沟道增强型MOSFET
LSI1013XT1G	P沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：350mA 功率(Pd)：250mW