L2N7002SDW1T1G是品牌LRC乐山无线电，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 投影仪、 智能插座、 专用集成电路（ASIC）、 电子体重秤、 电子手表 ，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。
产品数据
- 型号：L2N7002SDW1T1G
- 品牌：乐山无线电(LRC)
- 分类：MOSFETs
- 参数：2个N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：320mA 功率(Pd)：300mW
应用场景
MOSFETs可应用场景，如 不间断电源（UPS）、 电子计算器、 显示器、 电子美容仪、 烤箱、 智能手表、 汽车、 电子手表 等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。
选型表
| 型号 | 参数 |
| L2N7002LT1G | MOSFETs N-Channel VDSS=60V PD=225mW ID=500mA SOT23 |
| LBSS139LT1G | 50V 0.2A 225mW 3.5Ω@5V,200mA 1.5V N Channel SOT-23 |
| L2N7002DW1T1G | MOSFETs Dual N-channel VDS=60V VGS=±20V ID=500mA SOT363-6 |
| SRK7002LT1G | MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=115mA RDS(ON)=7.5Ω SOT23 |
| LN2502LT1G | N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：6A |
| LBSS84LT1G | SOT23 SMT 50V 225mW P–Channel |
| LSI1013XT1G | P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：350mA 功率(Pd)：250mW |
| L2N7002SDW1T1G | 2个N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：320mA 功率(Pd)：300mW |
| LP3218DT1G | MOS管 P-channel Id=8.2A VDS=12V DFN6_2X2MM |
| LP3407LT1G | P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：4.1A 功率(Pd)：1.4W |
