LN2302LT1G是品牌LRC乐山无线电，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 路由器、 智能家居控制器、 实验室离心机、 电子驱蚊器、 调音台 ，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。
产品数据
- 型号：LN2302LT1G
- 品牌：乐山无线电(LRC)
- 分类：MOSFETs
- 参数：N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：2.3A 功率(Pd)：900mW
应用场景
MOSFETs可应用场景，如 电子除螨仪、 电子美容仪、 电子空气净化器、 安防监控系统、 电子血压计、 蓝牙耳机、 电子体温计探头、 电动工具 等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。
选型表
| 型号 | 参数 |
| L2N7002KLT1G | MOSFETs N-沟道 Vdss=60V Id@25℃=320mA SOT23 |
| LSI1012LT1G | 20V 0.5A 225mW 700mΩ@4.5V,600mA 0.9V@250uA N Channel SOT-23-3L |
| LSI1012XT1G | 20V 0.5A 250mW 410mΩ@4.5V,600mA 0.9V@250uA N Channel 750pC@4.5V -55℃~+150℃@(Tj) SC-89 |
| L2N7002DW1T1G | MOSFETs Dual N-channel VDS=60V VGS=±20V ID=500mA SOT363-6 |
| LP2301ELT1G | MOSFETs P-CH 20V 2.8A 110mΩ@4.5V,2.8A SOT23 |
| L2N7002WT1G | 小信号MOSFET 115mA，60V N沟道SC70 |
| LP3218DT1G | MOS管 P-channel Id=8.2A VDS=12V DFN6_2X2MM |
| S-L2N7002SLT1G | S-L2N7002SLT1G |
| L2SK801LT1G | N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：310mA 功率(Pd)：300mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2.5Ω@10V,500mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.2V@250μA N沟道,60V,0.31A,1.5Ω@1.8V |
| LBSS84LT1G | SOT23 SMT 50V 225mW P–Channel |
