LN2302LT1G是品牌LRC乐山无线电，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 交换机、 智能音箱、 电子空气净化器、 吸尘器、 现场可编程门阵列（FPGA） ，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。
产品数据
- 型号：LN2302LT1G
- 品牌：乐山无线电(LRC)
- 分类：MOSFETs
- 参数：N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：2.3A 功率(Pd)：900mW
应用场景
MOSFETs可应用场景，如 电子按摩器、 显卡、 蓝牙耳机、 网络适配器、 吸尘器、 液晶显示器、 功放器、 电源供应器 等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。
选型表
| 型号 | 参数 |
| L2N7002KLT1G | MOSFETs N-沟道 Vdss=60V Id@25℃=320mA SOT23 |
| LBSS84LT1G | SOT23 SMT 50V 225mW P–Channel |
| LP3407LT1G | P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：4.1A 功率(Pd)：1.4W |
| LP9435LT1G | 30V 5.3A 50mΩ@10V,5.3A 1.4W 3V@250uA 51pF@15V P Channel 644pF@15V 10nC@10V -55℃~+150℃@(Tj) SOT-23 |
| LSI1012N3T5G | N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：500mA 功率(Pd)：250mW |
| LP0404N3T5G | P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：1.4A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：480mΩ@4.5V |
| LP3415ELT1G | MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±8V ID=4A RDS(ON)=85mΩ@1.8V SOT23 |
| LP2301ELT1G | MOSFETs P-CH 20V 2.8A 110mΩ@4.5V,2.8A SOT23 |
| L2SK801LT1G | N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：310mA 功率(Pd)：300mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2.5Ω@10V,500mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.2V@250μA N沟道,60V,0.31A,1.5Ω@1.8V |
| S-L2N7002SLT1G | S-L2N7002SLT1G |
