LP2301ELT1G是品牌LRC乐山无线电，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 电子空气净化器、 逆变器、 智能家居控制系统、 万用表、 电子净水器 ，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。
产品数据
- 型号：LP2301ELT1G
- 品牌：乐山无线电(LRC)
- 分类：MOSFETs
- 参数：MOSFETs P-CH 20V 2.8A 110mΩ@4.5V,2.8A SOT23
应用场景
MOSFETs可应用场景，如 扫描仪、 安防监控系统、 电子榨汁机、 MRI扫描仪、 内存条、 不间断电源（UPS）、 电子美容仪、 电动自行车控制器 等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。
选型表
| 型号 | 参数 |
| LP2301ELT1G | MOSFETs P-CH 20V 2.8A 110mΩ@4.5V,2.8A SOT23 |
| LP3218DT1G | MOS管 P-channel Id=8.2A VDS=12V DFN6_2X2MM |
| L2N7002KDW1T1G | MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=380A RDS(ON)=2.7mΩ@5V SOT363 |
| LP3407LT1G | P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：4.1A 功率(Pd)：1.4W |
| LBSS84ELT1G | P沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：130mA 功率(Pd)：225mW |
| L2N7002WT1G | 小信号MOSFET 115mA，60V N沟道SC70 |
| LBSS84LT1G | SOT23 SMT 50V 225mW P–Channel |
| LBSS84WT1G | P沟道 漏源电压(Vdss)：50V 连续漏极电流(Id)：130mA 功率(Pd)：225mW |
| LP0404N3T5G | P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：1.4A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：480mΩ@4.5V |
| LP3401LT1G | 30V P沟道增强型MOSFET |
