L2N7002KLT1G是品牌LRC乐山无线电，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 USB闪存盘、 台式电脑主机、 DVD播放器、 逆变器、 智能门锁 ，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。
产品数据
- 型号：L2N7002KLT1G
- 品牌：乐山无线电(LRC)
- 分类：MOSFETs
- 参数：MOSFETs N-沟道 Vdss=60V Id@25℃=320mA SOT23
应用场景
MOSFETs可应用场景，如 电磁炉、 电子厨房计时器、 LCD显示屏、 单片机、 电子翻译器、 现场可编程门阵列（FPGA）、 实验室离心机、 模拟信号处理器（ASP） 等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。
选型表
| 型号 | 参数 |
| LP9435LT1G | 30V 5.3A 50mΩ@10V,5.3A 1.4W 3V@250uA 51pF@15V P Channel 644pF@15V 10nC@10V -55℃~+150℃@(Tj) SOT-23 |
| L2N7002KLT1G | MOSFETs N-沟道 Vdss=60V Id@25℃=320mA SOT23 |
| L2SK3018WT1G | MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=100A RDS(ON)=5Ω SC70 |
| L2SK801LT1G | N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：310mA 功率(Pd)：300mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2.5Ω@10V,500mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.2V@250μA N沟道,60V,0.31A,1.5Ω@1.8V |
| LN2502LT1G | N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：6A |
| LBSS84WT1G | P沟道 漏源电压(Vdss)：50V 连续漏极电流(Id)：130mA 功率(Pd)：225mW |
| LP3218DT1G | MOS管 P-channel Id=8.2A VDS=12V DFN6_2X2MM |
| LN4812LT1G | MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=6A RDS(ON)=22mΩ@10V SOT23 |
| L2N7002SDW1T1G | 2个N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：320mA 功率(Pd)：300mW |
| L2N7002DW1T1G | MOSFETs Dual N-channel VDS=60V VGS=±20V ID=500mA SOT363-6 |
