Name: LN2306LT1G_LRC_乐山无线电_SOT-23_MOSFETs
Brand: LRC

LN2306LT1G 型号参数

LN2306LT1G是品牌LRC乐山无线电，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如电磁炉、血糖仪、功放器、电子净水器、智能插座，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

产品数据

应用场景

型号	参数
LSI1013XT1G	P沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：350mA 功率(Pd)：250mW
S-L2N7002SLT1G	S-L2N7002SLT1G
LBSS84ELT1G	P沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：130mA 功率(Pd)：225mW
LSI1012N3T5G	N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：500mA 功率(Pd)：250mW
LP3218DT1G	MOS管 P-channel Id=8.2A VDS=12V DFN6_2X2MM
LP0404N3T5G	P沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：1.4A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：480mΩ@4.5V
L2N7002SDW1T1G	2个N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：320mA 功率(Pd)：300mW
LN2302BLT1G	20V N沟道增强型MOSFET
L2N7002SLT1G	SOT23 SMT 60V N–Channel
LBSS84WT1G	P沟道漏源电压(Vdss)：50V 连续漏极电流(Id)：130mA 功率(Pd)：225mW