LP4101LT1G是品牌LRC乐山无线电，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 万用表、 智能安防摄像头、 调制解调器、 电子琴、 直流电源 ，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。
产品数据
- 型号：LP4101LT1G
- 品牌：乐山无线电(LRC)
- 分类：MOSFETs
- 参数：P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：2.3A 功率(Pd)：900mW
应用场景
MOSFETs可应用场景，如 射频连接器、 扫地机器人、 耳机、 电子血压计袖带、 逻辑分析仪、 功放设备、 安防摄像头、 电子空气净化器 等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。
选型表
| 型号 | 参数 |
| LN2306LT1G | 30V N沟道增强型MOSFET |
| LP2301ELT1G | MOSFETs P-CH 20V 2.8A 110mΩ@4.5V,2.8A SOT23 |
| LP3443LT1G | 20V P沟道增强型MOSFET |
| LP2307LT1G | MOSFET 16V 4.7A 70mΩ@4.5V,4.7A 1.1W 1.4V@250uA P Channel SOT-23 |
| LN2312LT1G | 20V N沟道增强型MOSFET |
| LSI1012XT1G | 20V 0.5A 250mW 410mΩ@4.5V,600mA 0.9V@250uA N Channel 750pC@4.5V -55℃~+150℃@(Tj) SC-89 |
| L2SK3018WT1G | MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=100A RDS(ON)=5Ω SC70 |
| LBSS138LT1G | SOT23 SMT 50V 225mW N–Channel |
| LBSS84WT1G | P沟道 漏源电压(Vdss)：50V 连续漏极电流(Id)：130mA 功率(Pd)：225mW |
| LBSS260DW1T1G | 60V 0.2A 380mW 1.44Ω@10V,500mA 1V@250uA SC-88 |
