LBSS260DW1T1G是品牌LRC乐山无线电，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 门禁系统、 液晶显示器、 气体报警器、 逻辑分析仪、 网络适配器 ，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。
产品数据
- 型号：LBSS260DW1T1G
- 品牌：乐山无线电(LRC)
- 分类：MOSFETs
- 参数：60V 0.2A 380mW 1.44Ω@10V,500mA 1V@250uA SC-88
应用场景
MOSFETs可应用场景，如 整流器、 调音台、 电子搅拌器、 MP3播放器、 智能手表、 功放设备、 专用集成电路（ASIC）、 智能手机 等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。
选型表
| 型号 | 参数 |
| LBSS139LT1G | 50V 0.2A 225mW 3.5Ω@5V,200mA 1.5V N Channel SOT-23 |
| LP2301LT1G | 20V P沟道增强型MOSFET |
| L2SK801LT1G | N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：310mA 功率(Pd)：300mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2.5Ω@10V,500mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.2V@250μA N沟道,60V,0.31A,1.5Ω@1.8V |
| LBSS139WT1G | MOS管 N-Channel VDS=50V VGS=±20V ID=200mA RDS(ON)=5.6@2.75V SOT323 |
| LN2306LT1G | 30V N沟道增强型MOSFET |
| LSI1012N3T5G | N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：500mA 功率(Pd)：250mW |
| L2N7002KDW1T1G | MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=380A RDS(ON)=2.7mΩ@5V SOT363 |
| L2SK3018WT1G | MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=100A RDS(ON)=5Ω SC70 |
| LSI1012LT1G | 20V 0.5A 225mW 700mΩ@4.5V,600mA 0.9V@250uA N Channel SOT-23-3L |
| LSI1012XT1G | 20V 0.5A 250mW 410mΩ@4.5V,600mA 0.9V@250uA N Channel 750pC@4.5V -55℃~+150℃@(Tj) SC-89 |
