LSI1012LT1G是品牌LRC乐山无线电，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 智能门锁、 内存条、 热水器、 实验室离心机、 MP4播放器 ，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。
产品数据
- 型号：LSI1012LT1G
- 品牌：乐山无线电(LRC)
- 分类：MOSFETs
- 参数：20V 0.5A 225mW 700mΩ@4.5V,600mA 0.9V@250uA N Channel SOT-23-3L
应用场景
MOSFETs可应用场景，如 电视机、 蓝牙音箱、 智能音箱、 现场可编程门阵列（FPGA）、 调音台、 电子空气净化器、 LED显示器、 耳机 等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。
选型表
| 型号 | 参数 |
| L2SK801LT1G | N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：310mA 功率(Pd)：300mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2.5Ω@10V,500mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.2V@250μA N沟道,60V,0.31A,1.5Ω@1.8V |
| L2N7002SLT1G | SOT23 SMT 60V N–Channel |
| LN2302BLT1G | 20V N沟道增强型MOSFET |
| LBSS139LT1G | 50V 0.2A 225mW 3.5Ω@5V,200mA 1.5V N Channel SOT-23 |
| SRK7002LT1G | MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=115mA RDS(ON)=7.5Ω SOT23 |
| L2N7002DW1T1G | MOSFETs Dual N-channel VDS=60V VGS=±20V ID=500mA SOT363-6 |
| LBSS84WT1G | P沟道 漏源电压(Vdss)：50V 连续漏极电流(Id)：130mA 功率(Pd)：225mW |
| LBSS260DW1T1G | 60V 0.2A 380mW 1.44Ω@10V,500mA 1V@250uA SC-88 |
| L2N7002WT1G | 小信号MOSFET 115mA，60V N沟道SC70 |
| LP3401LT1G | 30V P沟道增强型MOSFET |
