LSI1012N3T5G_LRC_乐山无线电_SOT883_MOSFETs

Name: LSI1012N3T5G_LRC_乐山无线电_SOT883_MOSFETs
Brand: LRC

LSI1012N3T5G 型号参数

LSI1012N3T5G是品牌LRC乐山无线电，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如音响设备、电饭煲、变压器、电子咖啡机、逆变器，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如整流器、人脸识别设备、话筒（麦克风）、智能手表、不间断电源（UPS）、打印机、显示器、电子温度计等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
LP3443LT1G	20V P沟道增强型MOSFET
LSI1012XT1G	20V 0.5A 250mW 410mΩ@4.5V,600mA 0.9V@250uA N Channel 750pC@4.5V -55℃~+150℃@(Tj) SC-89
LP0404N3T5G	P沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：1.4A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：480mΩ@4.5V
LSI1012LT1G	20V 0.5A 225mW 700mΩ@4.5V,600mA 0.9V@250uA N Channel SOT-23-3L
LP2301LT1G	20V P沟道增强型MOSFET
LN2312LT1G	20V N沟道增强型MOSFET
LN2302LT1G	N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：2.3A 功率(Pd)：900mW
L2SK801LT1G	N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：310mA 功率(Pd)：300mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2.5Ω@10V,500mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.2V@250μA N沟道,60V,0.31A,1.5Ω@1.8V
LBSS84LT1G	SOT23 SMT 50V 225mW P–Channel
LBSS139WT1G	MOS管 N-Channel VDS=50V VGS=±20V ID=200mA RDS(ON)=5.6@2.75V SOT323

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