LSI1012N3T5G_LRC_乐山无线电_SOT883_MOSFETs

Name: LSI1012N3T5G_LRC_乐山无线电_SOT883_MOSFETs
Brand: LRC

LSI1012N3T5G 型号参数

LSI1012N3T5G是品牌LRC乐山无线电，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如触摸屏、复印机、电子助听器、音响设备、扬声器，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如电子白板、电子除湿机、安防监控系统、电子驱蚊器、空调、人脸识别设备、网络适配器、电动自行车等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
LP0404N3T5G	P沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：1.4A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：480mΩ@4.5V
LBSS84ELT1G	P沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：130mA 功率(Pd)：225mW
LN4501LTIG	20 V, 3.2 A, Single N−Channel,SOT−23
L2N7002KDW1T1G	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=380A RDS(ON)=2.7mΩ@5V SOT363
LP2301LT1G	20V P沟道增强型MOSFET
LN2302BLT1G	20V N沟道增强型MOSFET
LBSS84WT1G	P沟道漏源电压(Vdss)：50V 连续漏极电流(Id)：130mA 功率(Pd)：225mW
LP3415ELT1G	MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±8V ID=4A RDS(ON)=85mΩ@1.8V SOT23
LN2306LT1G	30V N沟道增强型MOSFET
L2N7002DW1T1G	MOSFETs Dual N-channel VDS=60V VGS=±20V ID=500mA SOT363-6

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