LN2306LT1G_LRC_乐山无线电_SOT-23_MOSFETs

Name: LN2306LT1G_LRC_乐山无线电_SOT-23_MOSFETs
Brand: LRC

LN2306LT1G 型号参数

LN2306LT1G是品牌LRC乐山无线电，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如智能手机、虚拟现实头盔、电子血压手环、电磁炉、电子美容仪，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如液晶显示器、智能手表、射频连接器、手机充电器、实验室离心机、扬声器、遥控器、电子签到系统等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
LBSS84WT1G	P沟道漏源电压(Vdss)：50V 连续漏极电流(Id)：130mA 功率(Pd)：225mW
LP3407LT1G	P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：4.1A 功率(Pd)：1.4W
LN4812LT1G	MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=6A RDS(ON)=22mΩ@10V SOT23
LBSS84LT1G	SOT23 SMT 50V 225mW P–Channel
LP3218DT1G	MOS管 P-channel Id=8.2A VDS=12V DFN6_2X2MM
LBSS138LT1G	SOT23 SMT 50V 225mW N–Channel
LBSS260DW1T1G	60V 0.2A 380mW 1.44Ω@10V,500mA 1V@250uA SC-88
L2N7002SDW1T1G	2个N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：320mA 功率(Pd)：300mW
LP3415ELT1G	MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±8V ID=4A RDS(ON)=85mΩ@1.8V SOT23
S-L2N7002SLT1G	S-L2N7002SLT1G

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