LBSS260DW1T1G_LRC_乐山无线电_SOT-363_MOSFETs

Name: LBSS260DW1T1G_LRC_乐山无线电_SOT-363_MOSFETs
Brand: LRC

LBSS260DW1T1G 型号参数

LBSS260DW1T1G是品牌LRC乐山无线电，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如电子门禁卡、 3D打印机、逻辑分析仪、安防监控系统、汽车电子控制系统，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如指纹识别器、智能插座、电子美容仪、汽车电子控制系统、电子按摩器、电子脱毛器、内存条、电子计算器等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
LSI1012N3T5G	N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：500mA 功率(Pd)：250mW
LP2301LT1G	20V P沟道增强型MOSFET
LBSS139LT1G	50V 0.2A 225mW 3.5Ω@5V,200mA 1.5V N Channel SOT-23
LSI1012LT1G	20V 0.5A 225mW 700mΩ@4.5V,600mA 0.9V@250uA N Channel SOT-23-3L
LP3407LT1G	P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：4.1A 功率(Pd)：1.4W
L2N7002LT1G	MOSFETs N-Channel VDSS=60V PD=225mW ID=500mA SOT23
LP3415ELT1G	MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±8V ID=4A RDS(ON)=85mΩ@1.8V SOT23
L2N7002KDW1T1G	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=380A RDS(ON)=2.7mΩ@5V SOT363
LBSS84WT1G	P沟道漏源电压(Vdss)：50V 连续漏极电流(Id)：130mA 功率(Pd)：225mW
LN2312LT1G	20V N沟道增强型MOSFET

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