LSI1012LT1G_LRC_乐山无线电_SOT-23_MOSFETs

Name: LSI1012LT1G_LRC_乐山无线电_SOT-23_MOSFETs
Brand: LRC

LSI1012LT1G 型号参数

LSI1012LT1G是品牌LRC乐山无线电，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如安防摄像头、集成电路板、网卡、功放器、智能门锁，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如蓝牙音箱、门禁系统、电动工具、电子净水器、功放器、移动硬盘、数字信号处理器（DSP）、电子门禁卡等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
LP2301LT1G	20V P沟道增强型MOSFET
LBSS139LT1G	50V 0.2A 225mW 3.5Ω@5V,200mA 1.5V N Channel SOT-23
LN4812LT1G	MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=6A RDS(ON)=22mΩ@10V SOT23
L2N7002DW1T1G	MOSFETs Dual N-channel VDS=60V VGS=±20V ID=500mA SOT363-6
LBSS260DW1T1G	60V 0.2A 380mW 1.44Ω@10V,500mA 1V@250uA SC-88
L2N7002LT1G	MOSFETs N-Channel VDSS=60V PD=225mW ID=500mA SOT23
LSI1012N3T5G	N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：500mA 功率(Pd)：250mW
L2N7002SDW1T1G	2个N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：320mA 功率(Pd)：300mW
LSI1012LT1G	20V 0.5A 225mW 700mΩ@4.5V,600mA 0.9V@250uA N Channel SOT-23-3L
S-L2N7002SLT1G	S-L2N7002SLT1G

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