LBSS139LT1G_LRC_乐山无线电_SOT-23_MOSFETs

Name: LBSS139LT1G_LRC_乐山无线电_SOT-23_MOSFETs
Brand: LRC

LBSS139LT1G 型号参数

LBSS139LT1G是品牌LRC乐山无线电，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如红外感应器、电子翻译器、遥控器、 LED显示器、逻辑分析仪，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如音频信号处理器、扬声器、烟雾报警器、电子门禁卡、 CT扫描仪、 MRI扫描仪、电子驱蚊器、显卡等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
LP9435LT1G	30V 5.3A 50mΩ@10V,5.3A 1.4W 3V@250uA 51pF@15V P Channel 644pF@15V 10nC@10V -55℃~+150℃@(Tj) SOT-23
L2N7002KLT1G	MOSFETs N-沟道 Vdss=60V Id@25℃=320mA SOT23
LBSS138LT1G	SOT23 SMT 50V 225mW N–Channel
L2SK3018WT1G	MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=100A RDS(ON)=5Ω SC70
LBSS139LT1G	50V 0.2A 225mW 3.5Ω@5V,200mA 1.5V N Channel SOT-23
L2N7002WT1G	小信号MOSFET 115mA，60V N沟道SC70
LSI1012N3T5G	N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：500mA 功率(Pd)：250mW
LBSS84WT1G	P沟道漏源电压(Vdss)：50V 连续漏极电流(Id)：130mA 功率(Pd)：225mW
LP0404N3T5G	P沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：1.4A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：480mΩ@4.5V
LN2502LT1G	N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：6A

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