LBSS139LT1G_LRC_乐山无线电_SOT-23_MOSFETs

Name: LBSS139LT1G_LRC_乐山无线电_SOT-23_MOSFETs
Brand: LRC

LBSS139LT1G 型号参数

LBSS139LT1G是品牌LRC乐山无线电，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如可编程逻辑控制器（PLC）、整流器、显卡、 DVD播放器、话筒（麦克风），MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如数码相机、气体报警器、智能照明系统、手机、显卡、数字信号处理器（DSP）、机械硬盘、智能门锁等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
LN4812LT1G	MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=6A RDS(ON)=22mΩ@10V SOT23
LP9435LT1G	30V 5.3A 50mΩ@10V,5.3A 1.4W 3V@250uA 51pF@15V P Channel 644pF@15V 10nC@10V -55℃~+150℃@(Tj) SOT-23
LSI1012XT1G	20V 0.5A 250mW 410mΩ@4.5V,600mA 0.9V@250uA N Channel 750pC@4.5V -55℃~+150℃@(Tj) SC-89
LBSS84LT1G	SOT23 SMT 50V 225mW P–Channel
LSI1013XT1G	P沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：350mA 功率(Pd)：250mW
LSI1012N3T5G	N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：500mA 功率(Pd)：250mW
LBSS138LT1G	SOT23 SMT 50V 225mW N–Channel
L2SK3018WT1G	MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=100A RDS(ON)=5Ω SC70
LP4101LT1G	P沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：2.3A 功率(Pd)：900mW
LBSS123LT1G	SOT23 SMT 100V

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