LBSS123LT1G_LRC_乐山无线电_SOT-23_MOSFETs

Name: LBSS123LT1G_LRC_乐山无线电_SOT-23_MOSFETs
Brand: LRC

LBSS123LT1G 型号参数

LBSS123LT1G是品牌LRC乐山无线电，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如打印机、电子血压计、 MP4播放器、电子阅读器、安防监控系统，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如移动硬盘、射频连接器、洗衣机、 USB闪存盘、 LCD显示屏、录像机、台式电脑主机、 B超机等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
L2SK3018WT1G	MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=100A RDS(ON)=5Ω SC70
LP4101LT1G	P沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：2.3A 功率(Pd)：900mW
L2N7002SDW1T1G	2个N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：320mA 功率(Pd)：300mW
L2N7002WT1G	小信号MOSFET 115mA，60V N沟道SC70
LBSS139WT1G	MOS管 N-Channel VDS=50V VGS=±20V ID=200mA RDS(ON)=5.6@2.75V SOT323
LBSS139LT1G	50V 0.2A 225mW 3.5Ω@5V,200mA 1.5V N Channel SOT-23
LBSS84LT1G	SOT23 SMT 50V 225mW P–Channel
LP2307LT1G	MOSFET 16V 4.7A 70mΩ@4.5V,4.7A 1.1W 1.4V@250uA P Channel SOT-23
SRK7002LT1G	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=115mA RDS(ON)=7.5Ω SOT23
LN2302BLT1G	20V N沟道增强型MOSFET

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