LBSS123LT1G是品牌LRC乐山无线电，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 固态硬盘、 集成电路板、 血糖仪、 安防监控系统、 交流电源 ，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。
产品数据
- 型号：LBSS123LT1G
- 品牌：乐山无线电(LRC)
- 分类：MOSFETs
- 参数：SOT23 SMT 100V
应用场景
MOSFETs可应用场景，如 摄像头、 机器人、 安防监控系统、 红外感应器、 电子书阅读器、 LED照明灯、 电子门锁、 电子灭蚊灯 等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。
选型表
| 型号 | 参数 |
| LBSS84WT1G | P沟道 漏源电压(Vdss)：50V 连续漏极电流(Id)：130mA 功率(Pd)：225mW |
| LSI1013XT1G | P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：350mA 功率(Pd)：250mW |
| LP3415ELT1G | MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±8V ID=4A RDS(ON)=85mΩ@1.8V SOT23 |
| LP2301ELT1G | MOSFETs P-CH 20V 2.8A 110mΩ@4.5V,2.8A SOT23 |
| LP3218DT1G | MOS管 P-channel Id=8.2A VDS=12V DFN6_2X2MM |
| LBSS138LT1G | SOT23 SMT 50V 225mW N–Channel |
| L2N7002SLT1G | SOT23 SMT 60V N–Channel |
| S-L2N7002SLT1G | S-L2N7002SLT1G |
| L2SK801LT1G | N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：310mA 功率(Pd)：300mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2.5Ω@10V,500mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.2V@250μA N沟道,60V,0.31A,1.5Ω@1.8V |
| LP4101LT1G | P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：2.3A 功率(Pd)：900mW |
