LBSS84LT1G是品牌LRC乐山无线电，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 电磁炉、 电动车充电器、 空调、 电子词典、 电源供应器 ，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。
产品数据
- 型号：LBSS84LT1G
- 品牌：乐山无线电(LRC)
- 分类：MOSFETs
- 参数：SOT23 SMT 50V 225mW P–Channel
应用场景
MOSFETs可应用场景，如 显卡、 智能家居控制器、 现场可编程门阵列（FPGA）、 示波器、 MP3播放器、 音频线材、 LCD显示屏、 3D打印机 等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。
选型表
| 型号 | 参数 |
| LN2302BLT1G | 20V N沟道增强型MOSFET |
| L2N7002WT1G | 小信号MOSFET 115mA，60V N沟道SC70 |
| LBSS84WT1G | P沟道 漏源电压(Vdss)：50V 连续漏极电流(Id)：130mA 功率(Pd)：225mW |
| LBSS123LT1G | SOT23 SMT 100V |
| LP2301ELT1G | MOSFETs P-CH 20V 2.8A 110mΩ@4.5V,2.8A SOT23 |
| LP9435LT1G | 30V 5.3A 50mΩ@10V,5.3A 1.4W 3V@250uA 51pF@15V P Channel 644pF@15V 10nC@10V -55℃~+150℃@(Tj) SOT-23 |
| LP3401LT1G | 30V P沟道增强型MOSFET |
| LSI1013XT1G | P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：350mA 功率(Pd)：250mW |
| L2SK801LT1G | N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：310mA 功率(Pd)：300mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2.5Ω@10V,500mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.2V@250μA N沟道,60V,0.31A,1.5Ω@1.8V |
| LSI1012LT1G | 20V 0.5A 225mW 700mΩ@4.5V,600mA 0.9V@250uA N Channel SOT-23-3L |
