LSI1013XT1G_LRC_乐山无线电_SC89_MOSFETs

LSI1013XT1G 型号参数

LSI1013XT1G是品牌LRC乐山无线电，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如空调、电子白板、数码相机、电动车充电器、逻辑分析仪，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

型号	参数
LN2306LT1G	30V N沟道增强型MOSFET
LP0404N3T5G	P沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：1.4A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：480mΩ@4.5V
LP2301ELT1G	MOSFETs P-CH 20V 2.8A 110mΩ@4.5V,2.8A SOT23
L2N7002KDW1T1G	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=380A RDS(ON)=2.7mΩ@5V SOT363
LSI1013XT1G	P沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：350mA 功率(Pd)：250mW
LBSS138LT1G	SOT23 SMT 50V 225mW N–Channel
LP2301LT1G	20V P沟道增强型MOSFET
LN4501LTIG	20 V, 3.2 A, Single N−Channel,SOT−23
S-L2N7002SLT1G	S-L2N7002SLT1G
LBSS84WT1G	P沟道漏源电压(Vdss)：50V 连续漏极电流(Id)：130mA 功率(Pd)：225mW

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