LP2301LT1G_LRC_乐山无线电_SOT-23_MOSFETs

Name: LP2301LT1G_LRC_乐山无线电_SOT-23_MOSFETs
Brand: LRC

LP2301LT1G 型号参数

LP2301LT1G是品牌LRC乐山无线电，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如扬声器、功放设备、电子罗盘、智能安防摄像头、安防监控系统，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如电子榨汁机、 OLED显示屏、计算机、调音台、扫描仪、电子签到系统、电动自行车、内存条等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
L2N7002SDW1T1G	2个N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：320mA 功率(Pd)：300mW
LP3407LT1G	P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：4.1A 功率(Pd)：1.4W
LN2306LT1G	30V N沟道增强型MOSFET
LP3415ELT1G	MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±8V ID=4A RDS(ON)=85mΩ@1.8V SOT23
LP0404N3T5G	P沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：1.4A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：480mΩ@4.5V
L2SK3018WT1G	MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=100A RDS(ON)=5Ω SC70
SRK7002LT1G	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=115mA RDS(ON)=7.5Ω SOT23
LN2312LT1G	20V N沟道增强型MOSFET
LBSS138LT1G	SOT23 SMT 50V 225mW N–Channel
LBSS84LT1G	SOT23 SMT 50V 225mW P–Channel

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