LN2312LT1G是品牌LRC乐山无线电，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 电子广告牌、 智能家居控制器、 计算机、 汽车、 机械硬盘 ，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。
产品数据
- 型号：LN2312LT1G
- 品牌：乐山无线电(LRC)
- 分类：MOSFETs
- 参数：20V N沟道增强型MOSFET
应用场景
MOSFETs可应用场景，如 专用集成电路（ASIC）、 机械硬盘、 单片机、 虚拟现实头盔、 平板电脑、 电动工具、 微波炉、 电子琴 等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。
选型表
| 型号 | 参数 |
| LN2302LT1G | N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：2.3A 功率(Pd)：900mW |
| LN4812LT1G | MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=6A RDS(ON)=22mΩ@10V SOT23 |
| L2N7002KLT1G | MOSFETs N-沟道 Vdss=60V Id@25℃=320mA SOT23 |
| LP2301LT1G | 20V P沟道增强型MOSFET |
| LBSS139LT1G | 50V 0.2A 225mW 3.5Ω@5V,200mA 1.5V N Channel SOT-23 |
| L2N7002WT1G | 小信号MOSFET 115mA，60V N沟道SC70 |
| LP4101LT1G | P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：2.3A 功率(Pd)：900mW |
| LBSS138LT1G | SOT23 SMT 50V 225mW N–Channel |
| L2N7002KDW1T1G | MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=380A RDS(ON)=2.7mΩ@5V SOT363 |
| LP2301ELT1G | MOSFETs P-CH 20V 2.8A 110mΩ@4.5V,2.8A SOT23 |
