LN2502LT1G_LRC_乐山无线电_SOT-23_MOSFETs

Name: LN2502LT1G_LRC_乐山无线电_SOT-23_MOSFETs
Brand: LRC

LN2502LT1G 型号参数

LN2502LT1G是品牌LRC乐山无线电，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如声卡、摄像机、电子搅拌器、冰箱、固态硬盘，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如 X光机、信号发生器、电动自行车充电器、调制解调器、稳压电源、显示器、电子体温计探头、无人机等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
L2N7002KDW1T1G	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=380A RDS(ON)=2.7mΩ@5V SOT363
SRK7002LT1G	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=115mA RDS(ON)=7.5Ω SOT23
LBSS139LT1G	50V 0.2A 225mW 3.5Ω@5V,200mA 1.5V N Channel SOT-23
LN2306LT1G	30V N沟道增强型MOSFET
LP3415ELT1G	MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±8V ID=4A RDS(ON)=85mΩ@1.8V SOT23
LP0404N3T5G	P沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：1.4A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：480mΩ@4.5V
LBSS84ELT1G	P沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：130mA 功率(Pd)：225mW
L2N7002SLT1G	SOT23 SMT 60V N–Channel
LN2502LT1G	N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：6A
L2N7002KLT1G	MOSFETs N-沟道 Vdss=60V Id@25℃=320mA SOT23

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