LP4101LT1G_LRC_乐山无线电_SOT-23_MOSFETs

Name: LP4101LT1G_LRC_乐山无线电_SOT-23_MOSFETs
Brand: LRC

LP4101LT1G 型号参数

LP4101LT1G是品牌LRC乐山无线电，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如电子翻译器、电子游戏机手柄、声卡、网卡、显卡，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如电子血压计袖带、电子广告牌、电子书阅读器、电路板、录像机、笔记本电脑、电子灭蚊灯、电子体重秤等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
LN4812LT1G	MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=6A RDS(ON)=22mΩ@10V SOT23
LP0404N3T5G	P沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：1.4A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：480mΩ@4.5V
LBSS138LT1G	SOT23 SMT 50V 225mW N–Channel
LN2302LT1G	N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：2.3A 功率(Pd)：900mW
L2SK801LT1G	N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：310mA 功率(Pd)：300mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2.5Ω@10V,500mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.2V@250μA N沟道,60V,0.31A,1.5Ω@1.8V
LN2302BLT1G	20V N沟道增强型MOSFET
LSI1012LT1G	20V 0.5A 225mW 700mΩ@4.5V,600mA 0.9V@250uA N Channel SOT-23-3L
L2N7002WT1G	小信号MOSFET 115mA，60V N沟道SC70
LN2502LT1G	N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：6A
LBSS84ELT1G	P沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：130mA 功率(Pd)：225mW

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