L2SK801LT1G_LRC_乐山无线电_SOT-23_MOSFETs

L2SK801LT1G 型号参数

L2SK801LT1G是品牌LRC乐山无线电，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如智能手环、电子加湿器、模拟信号处理器（ASP）、功放设备、交流电源，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

型号：L2SK801LT1G
品牌：乐山无线电(LRC)
分类：MOSFETs
参数：N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：310mA 功率(Pd)：300mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2.5Ω@10V,500mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.2V@250μA N沟道,60V,0.31A,1.5Ω@1.8V

MOSFETs可应用场景，如逆变器、频谱分析仪、集成电路板、遥控器、 DVD播放器、电动车、电子助听器、模拟信号处理器（ASP）等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
LBSS84LT1G	SOT23 SMT 50V 225mW P–Channel
L2SK3018WT1G	MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=100A RDS(ON)=5Ω SC70
LBSS84ELT1G	P沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：130mA 功率(Pd)：225mW
LP4101LT1G	P沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：2.3A 功率(Pd)：900mW
SRK7002LT1G	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=115mA RDS(ON)=7.5Ω SOT23
LBSS139WT1G	MOS管 N-Channel VDS=50V VGS=±20V ID=200mA RDS(ON)=5.6@2.75V SOT323
LBSS260DW1T1G	60V 0.2A 380mW 1.44Ω@10V,500mA 1V@250uA SC-88
LSI1012N3T5G	N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：500mA 功率(Pd)：250mW
L2N7002SDW1T1G	2个N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：320mA 功率(Pd)：300mW
LP3401LT1G	30V P沟道增强型MOSFET

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