L2SK801LT1G是品牌LRC乐山无线电，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 现场可编程门阵列（FPGA）、 电子游戏机手柄、 智能家居控制系统、 血糖仪、 吉他效果器 ，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。
产品数据
- 型号：L2SK801LT1G
- 品牌：乐山无线电(LRC)
- 分类：MOSFETs
- 参数：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：310mA 功率(Pd)：300mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2.5Ω@10V,500mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.2V@250μA N沟道,60V,0.31A,1.5Ω@1.8V
应用场景
MOSFETs可应用场景，如 电子净水器、 LED照明灯、 电路板、 门禁系统、 液晶显示器、 电子血压计袖带、 微处理器、 B超机 等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。
选型表
| 型号 | 参数 |
| L2N7002DW1T1G | MOSFETs Dual N-channel VDS=60V VGS=±20V ID=500mA SOT363-6 |
| LN2306LT1G | 30V N沟道增强型MOSFET |
| L2N7002WT1G | 小信号MOSFET 115mA，60V N沟道SC70 |
| LN4501LTIG | 20 V, 3.2 A, Single N−Channel,SOT−23 |
| L2SK801LT1G | N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：310mA 功率(Pd)：300mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2.5Ω@10V,500mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.2V@250μA N沟道,60V,0.31A,1.5Ω@1.8V |
| LP3415ELT1G | MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±8V ID=4A RDS(ON)=85mΩ@1.8V SOT23 |
| LBSS84ELT1G | P沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：130mA 功率(Pd)：225mW |
| LBSS123LT1G | SOT23 SMT 100V |
| LSI1012N3T5G | N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：500mA 功率(Pd)：250mW |
| LP0404N3T5G | P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：1.4A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：480mΩ@4.5V |
