LN2302LT1G_LRC_乐山无线电_SOT-23_MOSFETs

Name: LN2302LT1G_LRC_乐山无线电_SOT-23_MOSFETs
Brand: LRC

LN2302LT1G 型号参数

LN2302LT1G是品牌LRC乐山无线电，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如吸尘器、数字信号处理器（DSP）、冰箱、吉他效果器、智能安防摄像头，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如功放器、不间断电源（UPS）、电动车充电器、投影仪、电子门禁卡、电子白板、电子广告牌、智能照明系统等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
LBSS84ELT1G	P沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：130mA 功率(Pd)：225mW
LP2301LT1G	20V P沟道增强型MOSFET
LP3407LT1G	P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：4.1A 功率(Pd)：1.4W
LN2306LT1G	30V N沟道增强型MOSFET
LBSS139WT1G	MOS管 N-Channel VDS=50V VGS=±20V ID=200mA RDS(ON)=5.6@2.75V SOT323
LN2312LT1G	20V N沟道增强型MOSFET
LSI1012N3T5G	N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：500mA 功率(Pd)：250mW
LSI1012XT1G	20V 0.5A 250mW 410mΩ@4.5V,600mA 0.9V@250uA N Channel 750pC@4.5V -55℃~+150℃@(Tj) SC-89
L2SK801LT1G	N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：310mA 功率(Pd)：300mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2.5Ω@10V,500mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.2V@250μA N沟道,60V,0.31A,1.5Ω@1.8V
LSI1013XT1G	P沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：350mA 功率(Pd)：250mW

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