LBSS139WT1G_LRC_乐山无线电_SOT-323_MOSFETs

Name: LBSS139WT1G_LRC_乐山无线电_SOT-323_MOSFETs
Brand: LRC

LBSS139WT1G 型号参数

LBSS139WT1G是品牌LRC乐山无线电，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如录像机、音响系统、示波器、视频线材、微处理器，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如电子门锁、电子门禁卡、智能手机、 USB闪存盘、电子脱毛器、录像机、频谱分析仪、电子翻译器等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
LSI1012LT1G	20V 0.5A 225mW 700mΩ@4.5V,600mA 0.9V@250uA N Channel SOT-23-3L
LP3407LT1G	P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：4.1A 功率(Pd)：1.4W
LBSS260DW1T1G	60V 0.2A 380mW 1.44Ω@10V,500mA 1V@250uA SC-88
L2SK3018WT1G	MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=100A RDS(ON)=5Ω SC70
LSI1012N3T5G	N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：500mA 功率(Pd)：250mW
LP3443LT1G	20V P沟道增强型MOSFET
LN4501LTIG	20 V, 3.2 A, Single N−Channel,SOT−23
LP2301ELT1G	MOSFETs P-CH 20V 2.8A 110mΩ@4.5V,2.8A SOT23
L2SK801LT1G	N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：310mA 功率(Pd)：300mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2.5Ω@10V,500mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.2V@250μA N沟道,60V,0.31A,1.5Ω@1.8V
LBSS138LT1G	SOT23 SMT 50V 225mW N–Channel

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