LP3443LT1G_LRC_乐山无线电_SOT-23_MOSFETs

Name: LP3443LT1G_LRC_乐山无线电_SOT-23_MOSFETs
Brand: LRC

LP3443LT1G 型号参数

LP3443LT1G是品牌LRC乐山无线电，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 USB闪存盘、电子气压计、 OLED显示屏、 MRI扫描仪、汽车，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如录像机、路由器、射频连接器、 LED照明灯、内存条、 GPS定位器、 RFID读写器、智能照明系统等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
LN2312LT1G	20V N沟道增强型MOSFET
LSI1012XT1G	20V 0.5A 250mW 410mΩ@4.5V,600mA 0.9V@250uA N Channel 750pC@4.5V -55℃~+150℃@(Tj) SC-89
LBSS139WT1G	MOS管 N-Channel VDS=50V VGS=±20V ID=200mA RDS(ON)=5.6@2.75V SOT323
LP3407LT1G	P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：4.1A 功率(Pd)：1.4W
LP2301ELT1G	MOSFETs P-CH 20V 2.8A 110mΩ@4.5V,2.8A SOT23
LN2502LT1G	N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：6A
LP2301LT1G	20V P沟道增强型MOSFET
LP4101LT1G	P沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：2.3A 功率(Pd)：900mW
LBSS139LT1G	50V 0.2A 225mW 3.5Ω@5V,200mA 1.5V N Channel SOT-23
L2SK3018WT1G	MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=100A RDS(ON)=5Ω SC70

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